logo

Profil Staf

foto-Sugianto
Nama Dr Sugianto, M.Si
NIP 132046850
NIP Konversi 196102191993031001
Status Dosen - PNS
Jabatan Lektor Kepala (Sekretaris LP3)
Status Studi Lanjut Tidak sedang studi lanjut
Unit UNNES - FMIPA-Pendidikan Fisika
Jenis Kelamin Pria
Alamat Email sugianto@mail.unnes.ac.id
Profil Google Scholar
Profil Scopus
Pangkat/Golru IV/b - Pembina Tk. I (01 Oktober 2015)
Mata Kuliah Pokok FISIKA ZAT PADAT
Pendidikan Terakhir Strata 3 (S3) lulus: 05 Januari 2005

Random Profil

Buku

Judul Penerbit Tahun ISBN
Fisika Zat Padat2006

Publikasi

Judul Nama Jurnal Standar Jurnal Tahun
Strain pada Film Tipis GaN Ditumbuhkan dengan PA-MOCVDProseding Seminar Rekayasa Kimia dan Proses-Teknik Kimia Undip Semarang 21-22 Juli.2004
Pengaruh Annealing pada Film Tipis Ta2O5 Ditumbuhkan dengan Metode SputteringProseding Seminar Rekayasa Kimia dan Proses-Teknik Kimia Undip, Semarang 21-22 Juli2004
Growth of AlxGa1-xN by Plasma Assisted MOCVDProc. Conference on Optoelectronic and Micro-electronic Material and Devices (COMMAD 2002), Univ.of2003
Growth of AlxGa1-xN by Plasma Assisted MOCVDProc. Conference on Optoelectronic and Micro-electronic Material and Devices (COMMAD 2002), Univ.of2003
Studi sifat listrik pada film GaN doping Mg yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD berbantuan plasmaKontribusi Fisika Indonesia vol.13 No.4, p. 1932002
Studi sifat listrik pada film GaN doping Mg yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD berbantuan plasmaKontribusi Fisika Indonesia vol.13 No.4, p. 1932002
Au/n-GaN Schottky Diode Grown on Si(111) by Plasma Assisted MOCVDProc. Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2002), , Univ.o2002
Au/n-GaN Schottky Diode Grown on Si(111) by Plasma Assisted MOCVDProc. Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD 2002), , Univ.o2002
GaN Thin Film as Gas SensorsProc. Indonesian German Conference - Instrumentation, Measurement and Communication for The Future,2001
Effect of The Buffer Layer Thickness on GaN Film Grown by Plasma-Assisted MOCVDProc. The 2001 International conference on electronic communication and istrumentation, BPPT-Indones2001
GaN Thin Film Grown on Hydrogen Plasma Cleaned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MOCVDProc. of International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN-2000), Nagoya-Japan, (IPAP Conference2000
The Influence of Hydrogen Plasma and Annealing on GaN Film Grown by Plasma Assisted MOCVDProc. Conference on optoelectronic and microelectronic material and devices (COMMAD 2000) , La Trobe2000
Hidrogenasi pada penumbuhan Film Tipis GaN dengan MOCVD berbantuan plasmaProseding Simposium Fisika Nasional XVIII, Serpong , Tangerang2000
Pengaruh Temperatur Penumbuhan pada Film Tipis GaN ditumbuhkan dengan MOCVD Berbantuan PlasmaProseding Simposium Fisika Nasional XVIII, Serpong, Tangerang.2000
Studi Sifat Optik Film Tipis GaN ditumbuhkan dengan MOCVD Berbantuan PlasmaProseding Simposium Fisika Nasional XVIII, Serpong, Tangerang.2000
Growth of GaN Film on a-plane sapphire substrate by plasma assisted MOCVDJournal of Crystal Growyh2000
Penumbuhan GaN di atas Subtrat SnO2/Gelas Dengan Metode PE-CVDJurnal HFI, Mei 20002000
Karakterisasi Lapisan Tipis GaN Ditumbuhkan pada Substrat GaAs dengan Metode PE-MOCVDProseding Simposium Fisika Nasional XVII , Yogyakarta1998
Growth of GaN by Microwave Enhanced MOCVDProc. Conference on Optoelectronic and Microelectronic Material and Devices (COMMAD 1998), The Unive1998
Penumbuhan Film Tipis Ga2O3 dengan metode DC-Magnetron SputteringJurnal Ilmu Dasar Fak MIPA Universitas Jember2004
Studi rasio V/III pada penumbuhan film tipis GaN ditumbuhkan dengan PA-MOCVDProseding Simposium Fisika Nasional XVIII, Serpong , Tangerang, No. Volume : tahun 20002000
Pengaruh laju alir gas Ar:N2 pada film tipis GaN ditumbuhkan dengan DC magnetron sputteringSeminar MIPA-ITB IV2004
Fabrication and characterization of metal-semiconductor metal n-GaN UV photodetector by PA-MOCVDJurnal Matematika dan Sains vol 10,2005
Karakteristik Film Tipis GaN di atas Substrat S(111) Menggunakan Lapisan Penyangga AlN dengan SputteringJurnal MIPANasional Belum Terakreditasi2008
Pengukuran C-V dan I-V pada Dioda n-GaN/p-SiC yang Difabrikasi dengan Metode MOCVDJurnal MIPANasional Belum Terakreditasi2008
Fotoluminesen Film Tipis GaN Doping Mg Ditumbuhkan dengan PA-MOCVDJurnal MIPANasional Belum Terakreditasi2007
Penumbuhan Film Tipis GaN di atas Substrat Si(111) dengan SputteringJurnal MIPANasional Belum Terakreditasi2007
Synthesis of Phenolic-Based Resist Materials for PhotolithographyOriental Journal of Chemistry Vol. 32 No. 1Internasional Bereputasi dan Berfaktor Dampak2016

Kinerja

Kegiatan Detail Kegiatan Tahun Pendukung
Penunjang Tridarma Perguruan Tinggi Staf Ahli Rektor Bidang Akselerasi Penjaminan Mutu Akademik 2014 File

Pencarian

Filter